符号要素、特有的限定符号(ID:1245839)
| # | 文件名称 | 文件大小 |
|---|---|---|
| 1 | 17129982597224.rar | 64.78K |
| 2 | P区上的N型发射极gb4728_6_1.8.dwg | 20.87K |
| 3 | P区上的N型发射极gb4728_6_1.8.wmf | 1.78K |
| 4 | 一般欧姆接触的半导体区gb4728_6_1.1.dwg | 20.64K |
| 5 | 一般欧姆接触的半导体区gb4728_6_1.1.wmf | 1.30K |
| 6 | 不同导电型区上的发射极gb4728_6_1.7.dwg | 21.60K |
| 7 | 不同导电型区上的发射极gb4728_6_1.7.wmf | 2.54K |
| 8 | 不同导电型区上的集电极gb4728_6_1.9.dwg | 20.26K |
| 9 | 不同导电型区上的集电极gb4728_6_1.9.wmf | 1.30K |
| 10 | 单向击穿效应gb4728_6_2.3.dwg | 21.84K |
| 11 | 单向击穿效应gb4728_6_2.3.wmf | 1.30K |
| 12 | 双向击穿效应gb4728_6_2.4.dwg | 21.36K |
| 13 | 双向击穿效应gb4728_6_2.4.wmf | 1.32K |
| 14 | 反向效应gb4728_6_2.5.dwg | 20.84K |
| 15 | 反向效应gb4728_6_2.5.wmf | 1.32K |
| 16 | 增强型器件的导电沟道gb4728_6_1.4.dwg | 21.25K |
| 17 | 增强型器件的导电沟道gb4728_6_1.4.wmf | 1.41K |
| 18 | 多处欧姆接触的半导体gb4728_6_1.2-2.dwg | 20.53K |
| 19 | 多处欧姆接触的半导体gb4728_6_1.2-2.wmf | 1.32K |
| 20 | 多处欧姆接触的半导体gb4728_6_1.2-3.dwg | 21.76K |
| 21 | 多处欧姆接触的半导体gb4728_6_1.2-3.wmf | 1.32K |
| 22 | 多处欧姆接触的半导体区gb4728_6_1.2-1.dwg | 20.88K |
| 23 | 多处欧姆接触的半导体区gb4728_6_1.2-1.wmf | 1.32K |
| 24 | 整流结-优选形gb4728_6_1.5.dwg | 20.46K |
| 25 | 整流结-优选形gb4728_6_1.5.wmf | 1.40K |
| 26 | 整流结-其他形gb4728_6_1.5-1.dwg | 21.33K |
| 27 | 整流结-其他形gb4728_6_1.5-1.wmf | 2.64K |
| 28 | 新建文本文档.txt | 713B |
| 29 | 用电场影响半导体层的结gb4728_6_1.6-1.dwg | 20.55K |
| 30 | 用电场影响半导体层的结gb4728_6_1.6-1.wmf | 1.78K |
| 31 | 用电场影响半导体层的结gb4728_6_1.6-2.dwg | 21.79K |
| 32 | 用电场影响半导体层的结gb4728_6_1.6-2.wmf | 1.78K |
| 33 | 耗尽型器件的导电沟道gb4728_6_1.3.dwg | 21.24K |
| 34 | 耗尽型器件的导电沟道gb4728_6_1.3.wmf | 1.32K |
| 35 | 肖特基效应gb4728_6_2.1.dwg | 21.11K |
| 36 | 肖特基效应gb4728_6_2.1.wmf | 1.35K |
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模型信息
图纸格式:dwg
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是否可编辑:可修改,包括参数
版本:AutoCAD 2000
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